LIVRO ELETRONICA EMBARCADA AUTOMOTIVA PDF

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Author: Yozshunris Jull
Country: Albania
Language: English (Spanish)
Genre: Career
Published (Last): 20 April 2016
Pages: 487
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Alexandre A. Guimarães, MSc, MBA

Magnetoresistance technique for mobility extraction in triple gate FinFETs at low temperature. Um citava a quantidade de bolsistas, o outro a quantidade de mensalidades e o outro a quantidade de investimento.

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Influence of fin width embzrcada channel length on the performance of buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs. Temperature impact on the tunnel fet off-state current components.

Experimental analysis of differential pairs designed with line tunnel FET devices. Journal of the Electrochemical SocietyEstados Unidos, v. Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient.

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EuroSOI – Sixth workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits,Grenoble, France. Saiba mais sobre o evento.

Cryogenics Guildfordv. International Conference on Microelectronics and Packaging. Este projeto CNPq- Universal n.

Transconductance hump in vertical gate-all-around tunnel-FETs. Giovana Girardi – O Estado de S.